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VBA1402
1个N沟道 耐压:40V 电流:36A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单NMOSFET，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块中。SOP8；N—Channel沟道,40V；36A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1`2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA1402
- 商品编号
- C7429141
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V；3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.23nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |