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VB1210
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单体N沟道场效应管；采用沟槽技术制造。适合用于电源管理模块中的开关电源设计。以及DC-DC转换器和稳压器等应用，确保高效的能量转换和稳定的电源输出。SOT23；N—Channel沟道,20V；9A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB1210
- 商品编号
- C7429135
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
商品特性
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 提供SOT-223封装