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SSM3J35AFS,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:250mA
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- 描述
- 特性：1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值），@VGS = -1.2V。RDS(ON) = 2.3Ω（典型值），@VGS = -1.5V。RDS(ON) = 2.0Ω（典型值），@VGS = -1.8V。RDS(ON) = 1.5Ω（典型值），@VGS = -2.5V。RDS(ON) = 1.1Ω（典型值），@VGS = -4.5V。应用：模拟开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J35AFS,LF
- 商品编号
- C7320707
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V,150mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 高阻断电压，低导通电阻
- 高频操作
- 超小栅漏电荷（Qgd）
- 100%进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试
应用领域
- 太阳能逆变器-电动汽车电池充电器-高压直流-直流转换器-开关电源