SSM3J64CTC,L3F
1个P沟道 耐压:12V 电流:1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1040 mΩ(典型值)(VGS = -1.2V)。 -RDS(ON) = 676 mΩ(典型值)(VGS = -1.5V)。 -RDS(ON) = 540 mΩ(典型值)(VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 400 mΩ(典型值)(VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 290 mΩ(典型值)(VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J64CTC,L3F
- 商品编号
- C7320709
- 商品封装
- SC-101(SOT-883)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01332克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3Ω@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1000uA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个10000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交3单
