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SSM3K35CTC,L3F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSM3K35CTC,L3F

1个N沟道 耐压:20V 电流:250mA

描述
特性:1.2V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 9.0Ω (最大值) (@VGS = 1.2V, ID = 10mA)。RDS(ON) = 3.1Ω (最大值) (@VGS = 1.5V, ID = 20mA)。RDS(ON) = 2.4Ω (最大值) (@VGS = 1.8V, ID = 150mA)。RDS(ON) = 1.6Ω (最大值) (@VGS = 2.5V, ID = 150mA)。RDS(ON) = 1.1Ω (最大值) (@VGS = 4.5V, ID = 150mA)。应用:高速开关。 模拟开关
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM3K35CTC,L3F
商品编号
C7320723
商品封装
SC-101(SOT-883)​
包装方式
编带
商品毛重
0.113333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)250mA
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@4.5V,150mA
耗散功率(Pd)500mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)340pC@4.5V
输入电容(Ciss)36pF@10V
反向传输电容(Crss)5pF
类型N沟道
输出电容(Coss)6pF

数据手册PDF

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