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SSM3K35CTC,L3F
1个N沟道 耐压:20V 电流:250mA
- 描述
- 特性：1.2V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 9.0Ω (最大值) (@VGS = 1.2V, ID = 10mA)。RDS(ON) = 3.1Ω (最大值) (@VGS = 1.5V, ID = 20mA)。RDS(ON) = 2.4Ω (最大值) (@VGS = 1.8V, ID = 150mA)。RDS(ON) = 1.6Ω (最大值) (@VGS = 2.5V, ID = 150mA)。RDS(ON) = 1.1Ω (最大值) (@VGS = 4.5V, ID = 150mA)。应用：高速开关。 模拟开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K35CTC,L3F
- 商品编号
- C7320723
- 商品封装
- SC-101(SOT-883)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 340pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 1.2 V栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 9.0 Ω(最大值)(@VGS = 1.2 V,ID = 10 mA)
- RDS(ON) = 3.1 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V,ID = 20 mA)
- RDS(ON) = 2.4 Ω(最大值)(@VGS = 1.8 V,ID = 150 mA)
- RDS(ON) = 1.6 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V,ID = 150 mA)
- RDS(ON) = 1.1 Ω(最大值)(@VGS = 4.5 V,ID = 150 mA)
应用领域
- 高速开关
- 模拟开关