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SSM6J512NU,LF
MOSFET硅P沟道MOS管
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- 描述
- 特性：1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24.0 mΩ（典型值） (@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 18.3 mΩ（典型值） (@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 14.3 mΩ（典型值） (@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J512NU,LF
- 商品编号
- C7320745
- 商品封装
- UDFNB-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品特性
- 1.8 V栅极驱动电压。
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 24.0 mΩ(典型值)(@ VGS = -1.8 V)
- RDS(ON) = 18.3 mΩ(典型值)(@ VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) = 14.3 mΩ(典型值)(@ VGS = -4.5 V)
应用领域
- 电源管理开关