SSM6K518NU,LF
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性:1.5V 驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 33 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。RDS(ON) = 45 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。RDS(ON) = 74 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。RDS(ON) = 108 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。应用:电源管理开关。 高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K518NU,LF
- 商品编号
- C7320751
- 商品封装
- UDFNB-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品特性
- 1.5V驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 33 mΩ(最大值)(@ VGS = 4.5V)
- RDS(ON) = 45 mΩ(最大值)(at VGS = 2.5V)
- RDS(ON) = 74 mΩ(最大值)(@ VGS = 1.8V)
- RDS(ON) = 108 mΩ(最大值)(@ VGS = 1.5V)
应用领域
- 电源管理开关
- 高速开关
- SSM6K810R,LF
- NMP1K2-KEHHKK-03
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