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SSM6K518NU,LF实物图
  • SSM6K518NU,LF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSM6K518NU,LF

N沟道MOSFET

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描述
特性:1.5V 驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 33 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。RDS(ON) = 45 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。RDS(ON) = 74 mΩ (最大值) (@VGS = 1.8 V)。RDS(ON) = 108 mΩ (最大值) (@VGS = 1.5 V)。应用:电源管理开关。 高速开关
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM6K518NU,LF
商品编号
C7320751
商品封装
UDFNB-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)410pF
反向传输电容(Crss)40pF
类型N沟道
输出电容(Coss)85pF

数据手册PDF