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SSM5N15FU,LF
1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：小封装。 低导通电阻：RDS(ON) = 4.0Ω（最大值，VGS = 4V）；RDS(ON) = 7.0Ω（最大值，VGS = 2.5V）。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM5N15FU,LF
- 商品编号
- C7320735
- 商品封装
- SOT-353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.8pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小封装
- 低导通电阻:RDS(ON) = 4.0 Ω(最大值)(@VGS = 4 V)
- RDS(ON) = 7.0 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V)
应用领域
-高速开关应用-模拟开关应用