SIDR638DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A 电流:64.6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR638DP-T1-RE3
- 商品编号
- C7316081
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64.6A；100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W；6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 204nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS - Qoss品质因数进行优化
- 顶部散热特性为热传递提供了额外途径
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 合规
- 无卤素
应用领域
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 或门功能(OR-ing)
- 电机驱动控制
- 电池和负载开关
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