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SIHB28N60EF-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:28A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB28N60EF-GE3
- 商品编号
- C7316109
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 123mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.714nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低 trr、Qrr 和 IRRM
- 低品质因数 (FOM):Ron x Qg
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 因降低 Qrr 而具有低开关损耗
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯 (HID)-发光二极管 (LED)-消费电子和计算机-ATX电源-工业-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)-开关模式电源 (SMPS)-采用以下拓扑结构的应用-LLC-移相桥 (ZVS)-三电平逆变器-交直流桥
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