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SIHB065N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:40A
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- 描述
- 特性：第四代E系列技术。 低品质因数（FOM） R(on) × Q(g)。 低有效电容 (C(O(er)))。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定（UIS）。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源（SMPS）
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB065N60E-GE3
- 商品编号
- C7316093
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF |
优惠活动
购买数量
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