商品参数
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| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
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| 功能特性 | - |
商品概述
MWS5101和MWS5101A是256字×4位的静态随机存取存储器,适用于需要高速、极低工作电流和使用简便的存储系统。它们具有独立的数据输入和输出,并采用4V至6.5V的单电源供电。MWS5101和MWS5101A的输入电压特性不同(MWS5101A与TTL兼容)。提供两个片选输入以简化系统扩展。输出禁用控制提供线或功能,在公共输入/输出系统中也很有用,可在写操作期间迫使输出进入高阻抗状态,而与片选输入条件无关。当输出禁用处于高电平或芯片被CS1和/或CS2取消选择时,输出呈现高阻抗状态。此设计保留了CMOS技术的高抗噪性。对于5V工作的TTL接口,通过在每个输入使用外部上拉电阻可保留出色的系统噪声容限。对于需要更宽温度和工作电压范围的应用,可以使用机械和功能等效的静态RAM CDP1822。MWS5101和MWS5101A有22引脚密封双列直插式、侧边钎焊陶瓷封装(D后缀)、22引脚双列直插式塑料封装(E后缀)和芯片形式(H后缀)。
商品特性
- 行业标准引脚排列
- 极低工作电流。在VDD = 5V且周期时间 = 1μs时为8mA
- 两个片选输入,便于简单的内存扩展
- 待机时的内存保留功能。电池电压最低2V
- 公共I/O系统的输出禁用功能
- 面向总线系统的三态数据输出
- 独立的数据输入和输出
- 与TTL兼容(MWS5101A)
- SIHB24N65E-E3
- MULP275-1315-2
- MWSA0604S-330MT
- SI5348A-D-GMR
- MULP275-1348-2
- SIHB28N60EF-GE3
- MWSD1005C10NGTM81
- SI5348B-E11066-GMR
- SIHD6N62ET1-GE3
- MULP40-1024
- MWSD1005C12NJTM01
- SI5348B-E13285-GM
- SIHD7N60ET5-GE3
- MUN12AD01-SG
- MWSD1005C15NGTM81
- SIHF12N65E-GE3
- MUR20010CTR
- MWSD1005C1N3DTM81
- SI5350A-B05783-GT
- MUR20020CTR
- MUR20060CT
