商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 308nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 快速本征二极管
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 适用于夹装或弹簧安装的Plus 264TM封装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 激光驱动器
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制