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LM219DT

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描述: 这些产品是精密高速双比较器，设计用于在宽范围的电源电压下工作，最低可使用单5 V逻辑电源和接地。它们具有低输入电流和高增益的特点。输出级的集电极开路使其与晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容，并且能够以高达25 mA的电流驱动灯和继电器。虽然这些比较器主要设计用于需要数字逻辑电源供电的应用，但它们在高达±15 V的电源下也有完整的规格说明。与LM111相比，它们的响应时间更快，但代价是电流消耗更高。然而，高速、宽工作电压范围和较少的封装引脚数使LM119、LM219和LM319更加通用。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: LM219DT
商品编号: C7545
商品封装: SOIC-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.29克(g)

商品参数

商品概述

这些产品是精密高速双比较器，设计用于在宽范围的电源电压下工作，最低可使用单5 V逻辑电源和接地。它们具有低输入电流和高增益的特点。输出级的集电极开路使其与晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容，并且能够以高达25 mA的电流驱动灯和继电器。虽然这些比较器主要设计用于需要数字逻辑电源供电的应用，但它们在高达±15 V的电源下也有完整的规格说明。与LM111相比，它们的响应时间更快，但代价是电流消耗更高。然而，高速、宽工作电压范围和较少的封装引脚数使LM119、LM219和LM319更加通用。

商品特性

两个独立的比较器
电源电压：+5 V至±15 V
在±15 V时典型响应时间为80 ns
每侧最小扇出为2
在工作温度范围内最大输入电流为1 μA
输入和输出可与系统地隔离
高共模压摆率

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	属性	参数值
	商品目录	比较器
	比较器数	双路
	输入失调电压(Vos)	700uV
	输入偏置电流(Ib)	150nA
	传播延迟(tpd)	80ns
	滞后电压(Vhys)	-
	共模抑制比(CMRR)	-
	输出类型	开集

	属性	参数值
	输出模式	TTL
	静态电流(Iq)	8mA
	工作温度	-45℃~+105℃
	最大电源宽度(Vdd-Vss)	36V
	双电源(Vee ~ Vcc)	±15V
	输入失调电流(Ios)	30nA
	响应时间(tr)	0.08us