MC14049BDR2G
六路反相器
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- 描述
- MC14049B 六反相器/缓冲器和 MC14050B 六同相缓冲器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件,集成于单一单片结构中。这些互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压 VDD 即可实现逻辑电平转换
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MC14049BDR2G
- 商品编号
- C7574
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.318克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 反相器 | |
| 输入类型 | - | |
| 工作电压 | 3V~18V | |
| 静态电流(Iq) | 4uA | |
| 通道数 | 6 | |
| 输入数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 40mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 10mA | |
| 输入高电平(VIH) | 3.5V~11V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.5V~4V | |
| 传播延迟(tpd) | 60ns@15V,50pF | |
| 系列 | 4000B系列 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
逻辑类型:反相器
电路数:6
输入数:6
电压 - 电源:3 V ~ 18 V
电流 - 静态(最大值):4μA
电流 - 输出高,低:10mA,40mA
逻辑电平 - 低:1.5 V ~ 4 V
逻辑电平 - 高:3.5 V ~ 11 V
不同 V,最大 CL 时的最大传播延迟:60ns @ 15V,50pF
工作温度:-55°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:16-SOIC
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
电路数:6
输入数:6
电压 - 电源:3 V ~ 18 V
电流 - 静态(最大值):4μA
电流 - 输出高,低:10mA,40mA
逻辑电平 - 低:1.5 V ~ 4 V
逻辑电平 - 高:3.5 V ~ 11 V
不同 V,最大 CL 时的最大传播延迟:60ns @ 15V,50pF
工作温度:-55°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:16-SOIC
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)个
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