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M93C76-WMN6TP
MICROWIRE串行访问EEPROM
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- 描述
- 8 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M93C76-WMN6TP
- 商品编号
- C7566
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 8Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 2MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 2mA | |
| 待机电流 | 3uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
M93C46（1 Kbit）、M93C56（2 Kbit）、M93C66（4 Kbit）、M93C76（8 Kbit）和M93C86（16 Kbit）是通过MICROWIRE总线协议访问的电可擦可编程存储器（EEPROM）器件。存储阵列可配置为字节（x8b）或字（x16b）模式。M93Cx6-W器件的工作电压范围为2.5 V至5.5 V，M93Cx6-R器件的工作电压范围为1.8 V至5.5 V。所有这些器件的时钟频率为2 MHz（或更低），工作环境温度范围为-40℃至+85℃。
商品特性
- 采用行业标准MICROWIRE总线
- 单电源电压：M93Cx6-W为2.5 V至5.5 V，M93Cx6-R为1.8 V至5.5 V
- 双组织模式：支持按字（x16）或字节（x8）配置
- 编程指令支持字节、字或整个存储器操作
- 带自动擦除的自定时编程周期，时长5 ms
- 编程期间提供READY/BUSY信号
- 时钟速率可达2 MHz
- 支持顺序读取操作
- 增强的ESD/闩锁性能
- 写入周期超过400万次
- 数据保留期超过200年
- 封装类型及规格：PDIP8（BN）、SO8（MN，宽度150 mil）、TSSOP8（DW，宽度169 mil）、UFDFPN8（MC，尺寸2×3 mm）
- 封装合规性：SO8、TSSOP8、UFDFPN8封装符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK®）；PDIP8封装符合RoHS标准（ECOPACK1®）