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SIHF9Z24STRR-GE3

1个P沟道耐压:60V 电流:11A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHF9Z24STRR-GE3
商品编号: C6816642
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D2PAK是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸最大达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。

商品特性

先进的工艺技术
表面贴装(IRF9Z24S、SiHF9Z24S)
175°C工作温度
快速开关
P沟道
全雪崩额定
符合RoHS标准
无卤

应用领域

DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	11A
	导通电阻(RDS(on))	280mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	3.7W；60W
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	19nC@10V
	输入电容(Ciss)	570pF
	工作温度	-55℃~+175℃