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SIHF520STRL-GE3

1个N沟道耐压:100V 电流:9.2A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHF520STRL-GE3
商品编号: C6816638
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4的芯片尺寸。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热达2.0 W。

商品特性

根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤
表面贴装
提供卷带包装
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
工作温度175 °C
快速开关
易于并联

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	6.5A
	导通电阻(RDS(on))	270mΩ@10V,5.5A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	3.7W；60W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	16nC@10V
	输入电容(Ciss)	360pF@25V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)