SI4874BDY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4874BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C6816064
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.23nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽技术制造。 该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应管功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤产品
应用领域
- 电源管理-PWM应用-负载开关
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