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SIHA12N60E-E3

1个N沟道耐压:600V 电流:12A

描述: 特性：低品质因数 (FOM) Ron × Qg。低输入电容 (Ciss)。降低开关和传导损耗。超低栅极电荷 (Qg)。雪崩能量额定 (UIS)。应用：开关模式电源 (SMPS)。功率因数校正电源 (PFC)
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHA12N60E-E3
商品编号: C6816589
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 1.54克(g)

商品参数

这款功率 MOSFET 采用先进的沟槽技术制造。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻 RDS(on)，可有效降低开关和导通损耗。因此，它非常适用于 AC/DC 电源转换、负载开关和工业电源应用。