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SIHA22N60EF-GE3

1个N沟道耐压:600V 电流:19A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHA22N60EF-GE3
商品编号: C6816601
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

CPC3909是一款N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），有SOT-223封装（CPC3909Z）和SOT-89封装（CPC3909C）两种可选。两者均采用专有垂直DMOS工艺，能在经济的硅栅工艺中实现高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺造就了高可靠性器件，尤其适用于电信、安防和电源等严苛应用环境。 CPC3909Z和CPC3909C的典型导通电阻为4.5Ω，漏源电压为400V。与所有MOS器件一样，该FET结构可防止热失控和热致二次击穿。

商品特性

低品质因数 (FOM) Ron × Qg
低输入电容 (Ciss)
降低开关和传导损耗
超低栅极电荷 (Qg)
雪崩能量额定 (UIS)

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	182mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	33W
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	96nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.423nF
	工作温度	-55℃~+150℃