SIHD9N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:9A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD9N60E-GE3
- 商品编号
- C6816634
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 368mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 778pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/管
总价金额：
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