SIDR626DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A 电流:42.8A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR626DP-T1-RE3
- 商品编号
- C6816571
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A；42.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W；6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS - Qoss FOM进行了优化
- 100%进行Rg和UIS测试
- 顶部散热特性为热传递提供了额外途径
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-太阳能微型逆变器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用
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