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SI4124DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:20.5A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：同步整流DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4124DY-T1-GE3
- 商品编号
- C6816059
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；5.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.54nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽（TRENCH）技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 90 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，典型导通电阻RDS(ON) = 3.6 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，典型导通电阻RDS(ON) = 5.3 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低反向传输电容（Crss）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统-笔记本电脑的电源管理
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