PE42512A
9kHz至8GHz射频开关
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- 描述
- PE42512是一种采用HaRPTM技术增强的吸收型SP12T射频开关,支持从9kHz到8GHz的频率范围。外部Vss引脚可用于旁路内部负电压发生器,从而实现无杂散性能。该设备具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间,适用于测试和测量(T&M)和高达8GHz的无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。无需在RF端口上安装阻塞电容器(如果不存在直流电压)。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE42512A
- 商品编号
- C726154
- 商品封装
- QFN-32-EP(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | 39dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1.3dB | |
| 工作电压 | 2.3V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
PE42512是一款采用HaRP技术增强的吸收式单刀12掷(SP12T)射频开关,支持9 kHz至8 GHz的频率范围。它设有一个外部VSS引脚,可用于绕过内部负电压发生器,使PE42512实现无杂散性能。该器件具有高隔离度、低插入损耗和快速开关时间等特性,非常适合用于高达8 GHz的测试与测量(T&M)以及无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。若射频端口上无直流电压,则无需使用隔直电容。 PE42512采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造,这是一种获得专利的先进绝缘体上硅(SOI)技术。 Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性,兼具砷化镓(GaAs)的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
商品特性
- 高隔离度:在6 GHz时为39 dB
- 低插入损耗:在6 GHz时为1.3 dB
- 快速开关时间:232 ns
- 功率处理能力:33 dBm连续波(CW)
- 逻辑选择(LS)引脚提供最大的控制逻辑灵活性
- 全关状态终止模式
- 外部VSS引脚可消除杂散信号
- 封装形式:32引脚、5×5×0.85 mm QFN封装
应用领域
- 测试与测量
- 高达8 GHz的无线应用
- 滤波器组切换
- 射频信号路由
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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