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STGF15H60DF
采用沟槽栅场截止结构的高速IGBT，具备参数分布紧密、可安全并联、热阻低、短路额定、超快软恢复反并联二极管等特性，适用于电机控制、UPS和PFC
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- 描述
- 600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGF15H60DF
- 商品编号
- C726094
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.952nF | |
| 输出电容(Coes) | 78pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 45pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 118ns | |
| 导通损耗(Eon) | 136uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 207uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 103ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |