温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP3NK80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款高压器件是采用 SuperMESH 技术开发的、具备齐纳保护功能的 N 沟道功率 MOSFET，SuperMESH 技术是对成熟的 PowerMESH 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，该器件还针对要求最为严苛的应用场景，确保具备高水平的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP3NK80Z
- 商品编号
- C726100
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V,1.25A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
商品概述
这款高压器件是采用 SuperMESH 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET，SuperMESH 技术是对成熟 PowerMESH 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为要求最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
相似推荐
其他推荐