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STP18N60M2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STP18N60M2

1个N沟道 电流:13A

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描述
N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220封装
商品型号
STP18N60M2
商品编号
C726098
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
1.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))255mΩ@10V,6.5A
耗散功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)21.5nC@480V
输入电容(Ciss)791pF@100V
反向传输电容(Crss)1.3pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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