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PE42359SCAA
SPDT UltraCMOS RF开关 10 MHz - 3 GHz
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- 描述
- 该射频开关设计用于覆盖从 10 MHz 到 3 GHz 的广泛应用范围。这款反射式开关将板载 CMOS 控制逻辑与低电压 CMOS 兼容控制接口集成在一起，可使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称 +3 伏电源电压时，典型输入 1 dB 压缩点可达 +33.5 dB。还符合汽车应用的质量和性能标准，并获得了 AEC-Q100 2 级认证。采用 pSemi 的 UltraCMOS 工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅 (SOI) 技术的专利变体，兼具砷化镓的性能以及经济性和集成性。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE42359SCAA
- 商品编号
- C726164
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.8V~3.3V | |
| 功能特性 | 控制接口集成 |
商品概述
PE42359 UltraCMOS射频开关设计用于覆盖10 MHz至3 GHz的广泛应用范围。这款反射式开关将板载CMOS控制逻辑与低电压CMOS兼容控制接口集成在一起，可使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称+3伏电源电压时，典型输入1 dB压缩点可达+33.5 dBm。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准，并获得了AEC-Q100 2级认证。PE42359采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体，兼具砷化镓的性能以及经济性和集成性。
商品特性
- 通过AEC-Q100 2级认证，支持高达+105℃的工作温度
- 单引脚或互补CMOS逻辑控制输入
- 低插入损耗：在1000 MHz时为0.35 dB，在2000 MHz时为0.50 dB
- 在1000 MHz时隔离度为30 dB
- 高ESD耐受性，可达2 kV HBM
- 典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm
- 最小电源电压为1.8V