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TP0610K-T1-E3
1个P沟道 耐压:60V 电流:185mA
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- 描述
- 特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。 高端开关。 低导通电阻：6Ω。 低阈值：-2V（典型值）。 快速开关速度：20ns（典型值）。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。 电池供电系统
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- TP0610K-T1-E3
- 商品编号
- C74714
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 185mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |