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Si4178DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 和 0H3 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：笔记本系统电源。 低电流 DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- Si4178DY-T1-GE3
- 商品编号
- C75685
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,8.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交21单
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