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KND3706A
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A 停产
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND3706A
- 商品编号
- C709685
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
高单元密度沟槽型N沟道MOSFET在大多数同步降压转换器应用中具有出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷特性。该器件符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 当VGS = 10 V时，典型导通电阻RDS(ON) = 9 mΩ
- 100%经过EAS测试
- 极低的栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术