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KNY2803A
150A、30V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(on) = 2.2mΩ (typ.) @ VCS = 10V。 低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至Tjmax。 无铅，符合RoHS标准。 采用沟槽处理技术实现极低导通电阻。 结工作温度175℃。 快速开关速度。 提高重复雪崩额定值
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNY2803A
- 商品编号
- C709678
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 605pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 715pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(导通) = 2.2 mΩ（典型值）
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 最高至Tjmax允许重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 采用沟槽工艺技术设计，实现极低导通电阻
- 结工作温度可达175°C
- 快速开关速度
- 提高重复雪崩额定值