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SI3443CDV-T1-BE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.97A 电流:4.7A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3443CDV-T1-BE3
- 商品编号
- C6488205
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A；5.97A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用特定应用（ASFET）增强型安全工作区（SOA）技术的单通道、逻辑电平、N沟道MOSFET，采用LFPAK33封装。该产品已按照AEC - Q101标准进行设计和认证，可用于安全气囊应用的线性模式。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100% 栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-硬盘驱动器(HDD)-异步整流-便携式设备的负载开关
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