温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHF9630STRL-GE3
1个P沟道 耐压:200V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和最低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D2PAK (TO-263)适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHF9630STRL-GE3
- 商品编号
- C6488234
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,3.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W；74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单