SISH129DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:14.4A 电流:35A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH129DN-T1-GE3
- 商品编号
- C6488356
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.345nF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 采用低热阻、小尺寸的PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
-负载开关-适配器开关-笔记本电脑
相似推荐
其他推荐