SISS67DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS67DN-T1-GE3
- 商品编号
- C6488358
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 进行100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 极低的导通电阻(RDS(on))可最大程度降低传导功耗
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 适配器和充电器开关
- 负载开关
- 电池管理
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