SISA16DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA16DN-T1-GE3
- 商品编号
- C6488353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.06nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道FET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 直流-直流转换
- 计算领域的大电流电源轨
- 负载开关
- 电池保护
- 直流-交流逆变器
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