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SIR4608LDP-T1-GE3
N沟道 60V 43.4A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR4608LDP-T1-GE3
- 商品编号
- C6488342
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 905pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 198pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS x Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS x Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-或门功能-电源-电机驱动控制-电池和负载开关