- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR5710DP-T1-RE3
SIR5710DP-T1-RE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR5710DP-T1-RE3
- 商品编号
- C6488343
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- RDS x Qg品质因数(FOM)极低
- 针对最低RDS x Qoss品质因数进行优化
- 进行100% Rg和非钳位感性负载开关(UIS)测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电源-电机驱动控制
- SIR800DP-T1-RE3
- SIR872DP-T1-GE3
- SIRA02DP-T1-GE3
- SIRA64DP-T1-RE3
- SISA16DN-T1-GE3
- SISH129DN-T1-GE3
- SISS67DN-T1-GE3
- SI5335B-B14548-GMR
- SI5335B-B14620-GM
- SI5335B-B14883-GMR
- SI5335C-B14724-GMR
- SI5335D-B03323-GMR
- SI5335D-B03502-GM
- SI5335D-B04175-GMR
- SI5335D-B04244-GMR
- SI5335D-B04333-GMR
- SI5335D-B04427-GMR
- SI5335D-B05597-GMR
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- SJ2S-05BW
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