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SIRA02DP-T1-GE3
SIRA02DP-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA02DP-T1-GE3
- 商品编号
- C6488349
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 45.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.3nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF |
商品特性
- 沟道式场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块和嵌入式DC/DC