- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRA02DP-T1-GE3
SIRA02DP-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA02DP-T1-GE3
- 商品编号
- C6488349
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 45.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.3nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF |
商品特性
- 沟道式场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块和嵌入式DC/DC
- SIRA64DP-T1-RE3
- SISA16DN-T1-GE3
- SISH129DN-T1-GE3
- SISS67DN-T1-GE3
- SI5335C-B14724-GMR
- SI5335D-B03323-GMR
- SI5335D-B03502-GM
- SI5335D-B04175-GMR
- SI5335D-B04244-GMR
- SI5335D-B04333-GMR
- SI5335D-B04427-GMR
- SI5335D-B05597-GMR
- SI5335D-B05966-GM
- SJ2S-05BW
- SI5335D-B06171-GMR
- SJS830330
- SI5335D-B09451-GMR
- SJT00RT-22-35S(014)LC
- SI5335D-B09897-GM
- SJT06RT-24-35SLC(023)
- SI5335D-B10781-GMR