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SIHP100N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:30A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP100N60E-GE3
- 商品编号
- C6488246
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,13A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.851nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(50个/管，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个50个/管
总价金额：
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