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SI4155DY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:13.6A 电流:10.2A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4155DY-T1-GE3
- 商品编号
- C6488209
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A；13.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；4.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该N沟道增强型MOSFET采用N沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这款MOSFET具有低导通电阻rDS(on)和低阈值电压的特点。
商品特性
- 沟槽场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 笔记本电脑和移动计算设备
- 适配器开关/负载开关
- 电池管理
- 电源管理
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