SIHG16N50C-E3
1个N沟道 耐压:500V 电流:16A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG16N50C-E3
- 商品编号
- C6488238
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低品质因数 Ron × Qg
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷改善
- 反向恢复时间 Trr/反向恢复电荷 Qrr 改善
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 移动设备电池管理
- 适配器和充电器开关
- 电池开关
- 负载开关