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SI4459BDY-T1-GE3实物图
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SI4459BDY-T1-GE3

1个P沟道 耐压:30V 电流:20.5A 电流:27.8A

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描述
特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 支持更高的功率密度。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：移动设备中的电池管理。 适配器和充电器开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI4459BDY-T1-GE3
商品编号
C6488216
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)27.8A；20.5A
导通电阻(RDS(on))4.9mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)5.6W；3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)84nC@10V
输入电容(Ciss)3.49nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

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