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HSU3031实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSU3031

1个P沟道 耐压:30V 电流:70A

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描述
HSU3031是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSU3031符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过耐雪崩能力(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSU3031
商品编号
C701014
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.431克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))7.2mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)90W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)3.45nF@25V
反向传输电容(Crss)140pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.3

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    起订量:1 个2500个/圆盘

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