温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSU3031
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSU3031是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU3031符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能力（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU3031
- 商品编号
- C701014
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.431克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
HSU3031 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU3031 符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100% 保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术