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HSBB6056
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低导通电阻RDS(ON)。100%保证雪崩能量。有环保产品可供选择
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB6056
- 商品编号
- C701038
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进沟槽MOS技术
- 低栅极电荷
- 低导通电阻RDS(ON) 100%保证耐雪崩能力
- 有环保器件可供选择
商品特性
- 先进沟槽MOS技术
- 低栅极电荷
- 低导通电阻RDS(ON)
- 100%保证耐雪崩能力
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 同步整流应用