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HSBA20N15S
1个N沟道 耐压:150V 电流:23A
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- 描述
- HSBA20N15S是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBA20N15S符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA20N15S
- 商品编号
- C701044
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 72.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSBA20N15S是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA20N15S符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过全功能可靠性认证。 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件 出色的Cdv/dt效应抑制能力 先进的高单元密度沟槽技术