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HSP6115
1个P沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- HSP6115是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP6115符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP6115
- 商品编号
- C701028
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.872克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 86.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSP6115 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 通过易感性雪崩耐量（EAS）测试，具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 dv/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术