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HSU6901
1个N沟道+1个P沟道
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- 描述
- HSU6901是具有高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU6901符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备完整的可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU6901
- 商品编号
- C701019
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V；1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.56nC@4.5V；9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF；1.447nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF；70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF；97pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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